- Описание
- Характеристики
- Отзывы (0)
Небуферизованная память Long-DIMM и SO-DIMM с более низким рабочим напряжением (1.35В) обеспечивают экономию энергии, по сравнению со стандартными модулями памяти, которые работают при напряжении 1.5В. DRAM модуль
Тип RAM DDR3
Тип DIMM Unbuffered SO-DIMM
Скорость 1333
Тайминги CL9
Емкость 4GB
Ранг 2Rx8
DRAM (256Mx8)x16
Напряжение 1.35V
Пин 204 pin
Высота печатной платы 1.18 дюймов
| Общие данные | |
| UID товара | TS512MSK64W3N |
| Производитель | Trancend |
| Модель | TS512MSK64W3N |
| Тип оборудования | Оперативная память |
| Тип памяти | DDR3 |
| Память и производительность | |
| Объем памяти, Гб | 4 gb |
| Тактовая частота, МГц | |
| Пропускная способность, Мбайт/с | |
| Тайминги | CL9 |
| Напряжение питания, В | 1.35 В |
| Особенности | |
| ECC | |
| Буферизированный | |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Совместимость | DDR3L SO-DIMM |
| Размеры и вес | |
| Размеры (Ш×В×Г), см | |
| Вес изделия, кг | |
| Размеры упаковки (Ш×В×Г), см | |
| Вес с упаковкой, кг | 0.05 кг |
| Гарантия и ссылки | |
| Срок гарантии, мес. | |
| Ссылка на сайт производителя | https://ru.transcend-info.com/ |
Похожие товары
38 760 ₸
34 190 ₸
34 190 ₸
34 190 ₸
34 190 ₸
33 850 ₸
33 850 ₸
33 730 ₸


